Básicamente la tecnología HJT se basa en células de tipo N en donde el semiconductor se dopa con átomos de fosforo creando una capa con electrones libres y carga negativa. A esta célula fotovoltaica se le recubre por ambos lados con una capa muy fina de silicio amorfo (con dopado antagónico) y posteriormente se añade la superficie colectora con electrodos de baja opacidad.
Lo que se consigue con esta estructura, entre otras características, es que se reduzcan las perdidas por recombinación de electrones, aumentemos la respuesta a diferentes longitudes de onda de la luz incidente que componen la radiación directa y difusa, y se reduzcan significativamente las perdidas por degradación PID y LID a lo largo de la vida del módulo.
De esta manera lo módulos HJT nos permite superar en muchos casos el 22% en condiciones estándar de medida.
Pero si nos fijamos en las perdidas de rendimiento de esta tecnología podemos llegar a un 33% menos de perdidas por temperatura que la tecnología estándar. Este dato es muy importante en países con temperaturas ambientes elevadas como es España.